Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IXTD1R4N60P 11
IXYS

IXTD1R4N60P 11

Номер детали производителя IXTD1R4N60P 11
производитель IXYS
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
Упаковка Die
В наличии 3766 pcs
Техническая спецификация Mult Devices OBS 02/Mar/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии IXYS.У нас есть кусочки 3766 IXYS IXTD1R4N60P 11 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства Die
Серии PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 700mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 50W (Tc)
Упаковка / Die
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 140 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.4A (Tc)
Базовый номер продукта IXTD1R4

Рекомендуемые продукты

IXTD1R4N60P 11 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IXTD1R4N60P 11

Связанные детали для IXTD1R4N60P 11